收藏本站
  !                    
V
GS
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
10 1
10 1
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
150 o C
10 0
25 o C
@ Notes :
10 0
10 - 1
10 0
@ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T = 25 o C
C
10 1
10 - 1
0
2
- 55 o C
4
1. V GS = 0 V
2. V DS = 40 V
3. 250 μ s Pulse Test
6 8
10
0.4
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.3
V GS = 5 V
10 1
0.2
10 0
@ Note : T J = 25 C
25 C
0.1
V GS = 10 V
o
150 o C
o
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. 250 μ s Pulse Test
0.0
0
20
40
60
80
10 - 1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
2000
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
1600
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
6
V DS = 40 V
V DS = 100 V
1200
4
V DS = 160 V
800
C oss
@ Notes :
400
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
@ Notes : I D = 18 A
0 0
10
10
1
0
0
10
2 0
30
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
IRLS640A Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRLTS6342TRPBF MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6
IRLZ14STRRPBF MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
IRLZ14 MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
IRLZ24NSTRR MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
IRLZ34NL MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
IRM-2636T RECEIVER MOD IR REMOTE
IRM-3636N3 RECEIVER MOD IR REMOTE
IRM-3638T RECEIVER MOD IR REMOTE
相关代理商/技术参数
IRLSG5653 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INTEGRATED SWITCHER
IRLSL3034PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLSL3036PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLSL4030PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLSZ14A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
IRLSZ24A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRLSZ34A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB
IRLSZ44A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB